可程序硬盤高低溫度BIT老化箱的測(cè)試應(yīng)用

固態(tài)硬盤（SSD）在生產(chǎn)過(guò)程中，需要進(jìn)行一系列的試驗(yàn)，可程序硬盤高低溫度BIT老化箱在SSD的應(yīng)用中，是屬于溫濕度環(huán)境測(cè)試的一個(gè)重要試驗(yàn)項(xiàng)目，下面是該試驗(yàn)的過(guò)程。

測(cè)試硬件：環(huán)儀儀器 可程序硬盤高低溫度BIT老化箱

測(cè)試環(huán)境：高溫80℃／低溫-40℃

測(cè)試樣品：固態(tài)硬盤

測(cè)試依據(jù)：YD/T 3824-2021 面向互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的固態(tài)硬盤測(cè)試規(guī)范

測(cè)試流程：

1.BIT老化箱設(shè)置為128KB順序?qū)?，?duì)列深度32，運(yùn)行BIT老化箱。

2.以不大于20℃/h的溫降速度從常溫到-40度。

3.被測(cè)硬盤-40℃環(huán)境中，靜置72小時(shí)。

4.以不大于20℃/h 的溫升速度從-40℃到 80℃。

5.被測(cè)硬盤80℃環(huán)境中，靜置72小時(shí)。

6.以不大于20℃/h的溫升速度，使環(huán)境溫度從80℃降到25℃，靜置24小時(shí)。

7.BIT老化箱設(shè)置為128KB順序?qū)懀?duì)列深度32，運(yùn)行BIT老化箱。

8.比較步驟1、7的測(cè)試結(jié)果。

高低溫測(cè)試中，篩選不合格的盤片，其中包括了焊接問(wèn)題、顆粒問(wèn)題、DRAM以及主控問(wèn)題，通過(guò)BIT測(cè)試，能保證盤片在使用過(guò)程中穩(wěn)定可靠。