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隨著電子產(chǎn)品的廣泛應(yīng)用，尤其是在移動(dòng)通信、計(jì)算機(jī)、智能家居等領(lǐng)域，閃存芯片（如NAND Flash）在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)中的重要性日益增加。為了確保這些閃存芯片在極端環(huán)境
在存儲(chǔ)芯片的生產(chǎn)制造過(guò)程中，需要進(jìn)行各種可靠性試驗(yàn)，其中高低溫沖擊試驗(yàn)就是一項(xiàng)重要的測(cè)試項(xiàng)目，下面，我們結(jié)合實(shí)際測(cè)試要求，來(lái)看看存儲(chǔ)芯片的高低溫?zé)釠_擊試驗(yàn)是怎么
閃存芯片高低溫沖擊試驗(yàn)箱主要檢查材料是否能承受快速的溫度變化。有些轉(zhuǎn)變?nèi)鐝母邷氐降蜏?，然后，從低溫到高溫。這些突然的變化會(huì)導(dǎo)致應(yīng)力和損壞，如裂縫或斷裂，要目標(biāo)是
為了研究FLASH芯片的壞區(qū)增長(zhǎng)與擦寫(xiě)次數(shù)為怎樣的關(guān)系，目前尚未有實(shí)際實(shí)物參照數(shù)據(jù)。下面使用Flash器件高低溫擦寫(xiě)性能試驗(yàn)箱，通過(guò)FLASH芯片壽命試驗(yàn)，在地
為了研究Flash存儲(chǔ)器在不同溫度下的性能變化的機(jī)理和溫變規(guī)律，評(píng)估其空間應(yīng)用的可行性，為Flash器件在空間型號(hào)任務(wù)的應(yīng)用提供試驗(yàn)依據(jù)和改進(jìn)建議。在溫變規(guī)律研
Flash高低溫試驗(yàn)箱可用于研究Flash存儲(chǔ)器在不同溫度下的性能變化的機(jī)理和溫變規(guī)律，評(píng)估其空間應(yīng)用的可行性，為Flash器件在空間型號(hào)任務(wù)的應(yīng)用提供試驗(yàn)依據(jù)
EMMC高低溫循環(huán)試驗(yàn)箱可針對(duì)NAND Flash、UFS芯片進(jìn)行高速、高低溫度范圍的全功能動(dòng)態(tài)老化測(cè)試。針對(duì)集成NAND和Controller的模組芯片（例如
eMMC存儲(chǔ)芯片高低溫老化箱可對(duì)eMMC（EmbeddedMulti Media Card，嵌入式多媒體卡）、SSD（Solid State Disk，固態(tài)硬盤(pán)
